Министерство образования и науки Российской Федерации

Новосибирский государственный технический университет

Расчет параметров полупроводников Методические указания

по выполнению расчетно-графической работы для студентов II курса факультета РЭФ направления 210200 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» и специальностей: 210404 «Многоканальные телекоммуникационные системы», 210402 «Средства связи с подвижными объектами», 210405 «Радиосвязь, радиовещание и телевидение»

Составитель: канд. техн. наук, доц. С.В. Дорогой Рецензент: доц. Н.И. Коржавин,

В работе даны варианты расчетно-графических заданий по дисциплинам

«Физические основы микроэлектроники» и «Физические основы электроники».

Рассмотрены примеры получения аппроксимационных зависимостей основных физических параметров полупроводников, таких как подвижности электронов и дырок при произвольных значениях температуры и концентрации примеси на основании экспериментальных результатов и известного вида зависимостей.

Результаты расчетов, выполненных в среде MathCAD, сравниваются с литературными данными.

Методические указания основаны на наиболее достоверных фактических данных, имеющихся в научной литературе и Интернет источниках.

Работа подготовлена на кафедре КТРС

© Новосибирский государственный технический университет, 2003

Введение

Знание основных физических параметров полупроводников и их зависимостей от различных факторов, например, температуры, необходимо для расчета конкретных характеристик полупроводниковых приборов. Из огромного числа полупроводниковых материалов выбраны 8 полупроводников, имеющих максимальное распространение, соответствующих вариантам РГЗ, а именно:

кремний (Si), германий (Ge), арсенид галлия (GaAs), фосфид галлия (GaP),

антимонид галлия (GaSb), антимонид индия (InSb), арсенид индия (InAs), фосфид индия (InP). Расчет параметров производится для примесных невырожденных полупроводников как для n-, так и для p типов проводимости. Соответствующие концентрации доноров и акцепторов приведены в задании. При решении практических задач часто бывает необходимо получить математическое выражение для произвольно изменяющейся функции по экспериментальным точкам. В общем виде сделать это непросто. Задача существенно упрощается,

если известен вид аппроксимирующей функции. В работе предлагается сделать обработку экспериментальных зависимостей (µn (T), µp (T), µn (Nd ), µp (Na ),)) по известному виду функций и получить соответствующие аппроксимационные зависимости как функции одной переменной. Эти зависимости могут быть использованы как для расчета других параметров полупроводников, например,

электропроводности, так и характеристик элементов полупроводниковых приборов, например, p-n перехода. Также получаемые зависимости допускают проведение над ними обычных математических операций, например,

интегрирование или дифференцирование. Работа выполняется с использованием программы MathCAD-2000 или других.

1. Основные физические параметры полупроводников

К основным физическим параметрам полупроводников, подлежащих определению, относятся:

1. m * dn , m * dp - эффективные массы плотности состояний электронов в зоне

проводимости и дырок в валентной зоне.

2. N C (T) эффективная плотность состояний в зоне проводимости.

3. N V (T) эффективная плотность состояний в валентной зоне.

4. n i (T) собственная концентрация носителей заряда.

5. E g (T) ширина запрещенной зоны полупроводника.

6. n (T, Nd=const), n (T=300 K, Nd ), p (T, Na=const), p (T=300 K, Na )

подвижности электронов и дырок. Концентрации примесей Nd, Naуказаны в варианте. Если не удается найти экспериментальные зависимости при заданных значениях концентрации примеси или температуры, то использовать наиболее близкие данные.

7. i (T) – удельное электрическое сопротивление собственного полупроводника.

8. C -EF . или EF -EV ) в заданном диапазоне температур.

Использовать допущение полной ионизации примесей, полупроводник

невырожденный.

9. Положение уровня Ферми в примесном полупроводнике относительно разрешенных зон (E C -EF ., EF -EV ) при фиксированной температуре (Т=300К) для заданных значений Nd и Na.

10. Изменение положения уровня Ферми в собственном полупроводнике при увеличении температуры относительно середины запрещенной зоны (E i ).

11. Температуру начала собственной проводимости (n i (T)>Nd или pi (T)>Na )).

12. Отношение подвижности электронов к подвижности дырок при

фиксированном значении температуры (Т=300 К) в зависимости от концентрации примеси. Задать концентрации Nd и Na в широком диапазоне, например 1014 см-3

…1019 см-3 .

13. Зависимость удельного электрического сопротивления примесного

соответственно) при постоянной температуре (Т0 =300К). Задать концентрации Nd

и Na как в п.12.

14. Dn (T), Dp (T) коэффициенты диффузии электронов и дырок в зависимости от

температуры

2. Основные формулы и соотношения

Эффективная плотность

2 kTm*

состояний в зоне проводимости

(T ) 2

Эффективная плотность

2 kTm*

(T ) 2

состояний в валентной зоне

Температурная зависимость

Eg T Eg 0

ширины запрещенной зоны

Собственная концентрация

Eg T

носителей заряда в

ni T NC T NV T exp

полупроводнике

Температурная

kT ln

kT ln

зависимость энергии

Температурная зависимость

kT ln

Где E i –

энергии Ферми для

собственного полупроводника

середина запрещенной зоны

Концентрационная

i N imin

i max i min

зависимость подвижности

электронов и дырок

Температурная зависимость

подвижности электронов и

i T Const T ,

Удельное электрическое

сопротивление собственного

qni T

n T p T

полупроводника

Концентрация свободных

электронов в зоне

n T NC (T)exp

проводимости

Концентрация свободных

(T )exp

E F E V

дырок в валентной зоне

n (T ) p (T ) n i (T ) 2

Закон действующих масс

n n (T ) p n (T ) n i (T ) 2 для n-типа

p p (T ) n p (T ) n i (T ) 2 для p-типа

D (T)

Dp (T)

Соотношение Эйнштейна

UT (T)

n (T )

p (T )

Аппроксимацией (приближением) функции f(x) называется нахождение такой функции g(x) (аппроксимирующей функции ) , которая была бы близка заданной. Критерии близости функций f(x) и g(x) могут быть различные.

В том случае, когда приближение строится на дискретном наборе экспериментальных точек, аппроксимацию называют точечной или дискретной.

Экспериментальные данные берутся из литературных источников, например из или из текущей научной периодики.

3. Порядок выполнения работы

1. Скопировать в единый раздел необходимые для расчета физические константы, такие как постоянные Больцмана, Планка, заряд электрона и т.д. из Ресурсного Центра программы MathCAD (Resourse Center→QuickSheets and Reference Tables→Basic Science Reference→Fundamental Physical Constants).

Обратить внимание на наличие размерностей.

2. Выписать значения констант, относящихся к конкретному полупроводнику из таблицы 1, с учетом размерностей, например, ширину запрещенной зоны при Т=0К (Eg0 ). Задать диапазон изменения величин, например, температуры и концентрации доноров (Nd ) и акцепторов (Na ).

Пример 1 Задание диапазонов изменяемых величин с различным шагом.

Температура (T) имеет шаг 1 К, а концентрация доноров (Nd ) – 4 1014 см-3 .

T 0 300 K T 200 K 201 K 400 K

N.d 1 1014 cm 3 5 1014 cm 3 1 1018 cm 3

Напоминаем, что «нижний индекс» переменной Nd , в MathCAD ставится

через точку, а не с помощью кнопки панели Матрицы, это элемент матрицы.

Записать выражение для температурной зависимости ширины запрещенной зоны, согласно уравнению (3). Сделать правую часть выражения сначала безразмерной, поделив T на Кельвин, и присвоить затем размерность электрон-

вольт. Так как в MathCAD нет встроенной единицы измерения «электрон-вольт» ,

то необходимо самим ее определить и присвоить. Результат для Si выглядит так:

Пример 2 Температурная зависимость ширины запрещенной зоны кремния Eg (T),

размерность – электрон-вольт.

q 1.60217653 10 19 coul
		E 1.17 eV				A 0.000473			B 636 K
			A T2			(300 K) 1.125 eV

3. Определить эффективную массу плотности состояний электронов в зоне проводимости и эффективную массу плотности состояний дырок в валентной зоне. Это можно сделать с помощью формул (1) и (2), если подставить численные значения для Nc или Nv при Т=300 К из таблицы 1 и решить уравнения относительно m * dn и m * dp .

Напоминаем, что эти величины используются исключительно для расчета

NC (T), NV (T). Результат представить в виде: m * dn Const m 0 , где m0 -масса электрона и поместить перед формулами для NC (T), NV (T).

4. Определить собственную концентрацию носителей заряда, построить график ni (T) и вычислить температуру начала собственной проводимости.

Таблица 1

Базовые физические параметры полупроводников (Т=300К) http://www.ioffe.spb.ru/

Полупроводник

n-тип, Nd, см-3

5*1017

8*1017

2*1017

8*1016

5*1016

9*1015

2*1016

5*1016

p-тип, Na, см-3

2*1016

5*1016

5*1016

5*1015

5*1017

2*1017

5*1017

5*1017

Eg0 , эВ

Nc, см-3

3.2*1019

1.0*1019

4.7*1017

1.8*1019

2.1*1017

4.2*1016

8.7*1016

5.7*1017

Nv, см-3

1.8*1019

5.0*1018

9.0*1018

1.9*1019

1.8*1019

7.3*1018

6.6*1018

1.1*1019

ni , см-3

1*1010

2.0*1013

2.1*106

1.5*1012

2*1016

1*1015

1.3*107

ρi , Ом·см

3.2*105

3.3*108

8*1015

4*10-3

8.6*107

μn , см2 /(В*с)

5. Используя экспериментальные результаты из работ , получить аппроксимационное выражения для подвижностей электронов и дырок в зависимости от температуры при заданном значении концентрации примеси и отдельно от концентрации примеси в диапазоне 1014 …1019 см-3 при T=const. При Т=300 К практически во всех исследованных полупроводниках температурную зависимость можно описать уравнением (6). В некоторых случаях вместо функции Find можно использовать Minerr. Построить совместно экспериментальные и аппроксимационные зависимости μn (Т), μp (Т), μn (Nd ), μp (Na ). Пример 3 Получение температурной зависимости подвижности дырок в Si из уравнения (7) с помощью блока Given - Find. Размерность подвижности задана в см2 /(В·с). Знак равенства в уравнениях должен быть логический, а число уравнений в блоке Given – Find соответствовать числу неизвестных.

10 3.802

Const 101.918

10 2.33

Const 102.639

5.222 107

p (T)

(начальные условия)

(блок решения системы уравнений (Given-Find))

(численные значения неизвестных величин)

(искомое аппраксимационное уравнение)

Результат аппроксимации в сравнении с экспериментом показан на рис.1

(Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Введение

Физические процессы в полупроводниках и их свойства

1 Собственные полупроводники

2 Электронный полупроводник

3 Дырочный полупроводник

4 Энергетические диаграммы полупроводников

5 Основные и неосновные носители заряда

6 Температурная зависимость концентрации носителей заряда

7 Донорные и акцепторные полупроводники

8 Зависимость концентрации электронов от энергии уровня Ферми

9 Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных полупроводниках

Вычисление температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников

1 Приближённый расчёт зависимости концентрации дырок от температуры

1.1 Вычисление средней температуры

1.2 Вычисление эффективной массы электрона и дырки

1.3 Вычисление эффективной плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости

1.4 Расчёт температурыи

1.5 Область низких температур

1.6 Область средних температур

1.7 Область высоких температур

2 Аналитический расчёт зависимости концентрации свободных носителей заряда и положения уровня Ферми от температуры

2.1 Нахождение точных значенийи

2.2 Область низких температур (точные значения)

2.3 Область средних температур (точные значения)

2.4 Область высоких температур (точные значения)

Заключение

Список используемых источников

Приложение А Программа расчёта

Приложение В Графики зависимостей

Реферат Пояснительная записка содержит 54 страниц машинописного текста, включает 2 приложения, 14 рисунков, список использованных источников из 10 наименований.

Ключевые слова: собственный полупроводник, полупроводник акцепторного типа, эффективная масса, соотношение действующих масс, эффективная плотность состояний, уровень Ферми, ширина запрещённой зоны, носители заряда, концентрация носителей заряда, акцепторная примесь, энергия ионизации примеси, область истощения примеси, область собственной электропроводности, область собственной проводимости, область слабой ионизации, концентрация дырок, точные значения.

Цель работы: рассчитать температурную зависимость концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике акцепторного типа, а так же построить график этой зависимости в координатах: ln n = F(1/T). Определить и построить графически зависимость энергии уровня Ферми от температуры, и произвести расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.

Задачи: использовать данную курсовую работу как основу фундамента знаний о физике полупроводников, а так же развить свой технический кругозор для улучшения своей профессиональной пригодности.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ

1.1. Классификация

Электронным прибором (ЭП) называют устройство, в котором в результате взаимодействия свободных или связанных носителей заряда с электрическим, магнитным и переменным электромагнит-ным полем обеспечивается преобразование информационного сиг-нала или преобразование вида энергии.

Основными признаками классификации разнообразных по прин-ципу действия, назначению, технологии изготовления, свойствам и параметрам можно считать: вид преобразования сигнала; вид рабо-чей среды и тип носителей заряда; структуру (устройство) и число электродов; способ управления.

По виду преобразования сигнала все ЭП можно разбить на две большие группы. К первой группе относятся ЭП, в которых использу-ется преобразование одного вида энергии в другой. В эту группу вхо-дят электросветовые ЭП (преобразование типа электрический сигнал в световой), фотоэлектронные приборы (световой сигнал в электрический), электромеханические (электрический сигнал в ме-ханический), механоэлектрические ЭП (механический сигнал в элек-трический), оптопары (электрический сигнал в световой и затем сно-ва в электрический)и др.

Ко второй группе обычно относятся электропреобразователь-ные приборы, в которых изменяются параметры электрического сиг-нала (например, амплитуда, фаза, частота и др.).

По виду рабочей среды и типу носителей заряда различают сле-дующие классы электронных приборов: электровакуумные (вакуум, электроны), газоразрядные (разреженный газ, электроны и ионы), полупроводниковые (полупроводник, электроны и дырки), хемотронные (жидкость, ионы и электроны).

Электроды электронного прибора – это элементы его конструк-ции, которые служат для формирования рабочего пространства при-бора и связи его с внешними цепями. Число электродов и их потенциалы определяют физические процессы в приборе. Наиболее на-глядно это в электронных лампах: двухэлектродные (диоды), трех-электродные (триоды), четырехэлектродные (тетроды) и пятиэлект-родные (пентоды).
^

1.2. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов

Совокупность условий, определяющих состояние или работу электронного прибора, принято называть режимом электронного прибора, а любую величину, характеризующую этот режим (к приме-ру, ток или напряжение), – параметрами режима. Говорят об усилительных, импульсных, частотных, шумо-вых, температурных и механических свойствах, о надежности и т.п. Количественные сведения об этих свойствах называют параметра-ми прибора . К ним, например, относят коэффициенты передачи токов, характеристические частоты, коэффициент шума, интенсивность отказов, ударную стойкость и др.

Вначале остановимся на понятиях статического и динамическо-го режимов приборов. Статическим называют режим, когда прибор работает при постоянных («статических») напряжениях на электро-дах. В этом режиме токи в цепях электродов не изменяются во вре-мени и распределения зарядов и токов в приборе также постоянны во времени. Другими словами, в статическом режиме все парамет-ры режима не изменяются во времени. Однако, если хотя бы один из параметров режима, например напряжение на каком-то электроде, изменяется во времени, режим называется динамическим.

В динамическом режиме поведение при-бора существенно зависит от скорости или частоты изменения воз-действия (например, напряжения).

У большинства приборов эта зависимость объясняется инерци-онностью физических процессов в приборе, например конечным временем пролета носителей заряда через рабочее пространство или конечным временем жизни носителей. Конечность времени пролета приводит к тому, что мгновенное значение тока электрода, к которому движутся носители, в выбранный момент времени бу-дет определяться не только значением напряжения на электроде в этот момент, но, естественно, и предысторией, т.е. всеми значени-ями напряжения от момента начала движения в приборе до прихо-да носителя заряда к рассматриваемому электроду. Следователь-но, связь мгновенных значений тока и напряжения в динамическом режиме должна отличаться от связи постоянных значений тока и напряжения в статическом режиме. Однако если время пролета значительно меньше периода изменения переменного напряже-ния, то это.отличие во взаимосвязи будет несущественным, т.е. связь мгновенных значений будет практически такой же, как посто-янных величин в статическом режиме. Указанная разновидность динамического режима называется квазистатическим режимом («квази» – означает «как бы» или «как будто»).

Обычно динамический режим получается в результате внешнего воздействия, например входного сигнала. Входной сигнал может быть синусоидальным или импульсным. Малым называют такой сигнал, при котором наблюда-ется линейная связь (прямая пропорциональность) между амплиту-дами выходного и входного сигналов.

^ 1.3. Модели электронных приборов

Как в статическом, так и динамическом режиме анализ основан на использовании системы дифференциальных уравнений, описы-вающих физические процессы: уравнения непрерывности, закон Пу-ассона, уравнения для плотностей токов, кинетическое уравнение Больцмана, учитывающее функцию распределения частиц по коор-динатам и импульсам. Систему этих уравнений принято называть математической моделью приборов.

Для анализа радиоэлектронных схем, содержащих электронные приборы, в большинстве случаев удобнее использовать электриче-ские модели (эквивалентные схемы, схемы замещения), составлен-ные из элементов электрической цепи.

Электрические модели, называемые также эквивалентными схемами, появились на основе анализа математических моделей. Поэтому каждый электрический элемент эквивалентной схемы при-ближенно описывается (представляется) соответствующими математическими выражениями.

Удобство электрических моделей состоит в том, что анализ ди-намических свойств (например, транзистора), особенно при малом сигнале, можно проводить по законам теории электрических цепей.

Эквивалентные схемы для малого сиг-нала обычно называют линейными или малосигнальными, а для большего – нелинейными эквивалентными схемами или нелиней-ными электрическими моделями.
^

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

2.1. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника

Полупроводниками, как прави-ло, являются твердые тела с регулярной кристаллической структурой. В твердом те-ле концентрация (объемная плотность) атомов велика, поэтому внешние электрон-ные оболочки соседних атомов сильно взаимодействуют, и вместо системы дискрет-ных энергетических уровней, характерной для одного изолированного атома, появля-ется система зон энергетических уровней. Эти зоны уровней называют разрешенными , а области между ними – запрещенными зонами. Верхняя разрешен-ная зона называется зоной проводимости , а первая под ней – валентной зоной.

В физике принята классификация твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики по ширине запрещенной зоны , от значения которой зависят концент-рация свободных носителей, удельное электрическое сопротивление и ток.

Ширина запрещенной зоны при абсолютной температуре Т=300 К у германия 0,66 эВ, кремния 1,12эВ и арсенида галлия 1,4 эВ.

Беспримесный (чистый) полупроводник без дефектов кристаллической структу-ры называют собственным полупроводником и обозначают буквой i. При температуре абсолютного нуля (T=0 К) в таком полупроводнике все энергетические уровни валентной зоны заполнены валентными электронами, а в зоне проводимости нет электронов. По мере увеличения температуры растет энергия колебательного движения атомов кристаллической решетки и увеличивается вероят-ность разрыва ковалентных (парных) связей атомов, приводящего к образованию свободных электронов , энергия которых соответствует уровням зоны проводимости. Отсутствие одного электрона в ковалентной связи двух соседних атомов, или «вакан-сия», эквивалентно образованию единичного положительного заряда, называемого дыркой.

Появление одного свободного электрона сопровождается об-разованием одной дырки. Говорят, что идет образование (генерация) пар электрон – дырка с противоположными знаками заряда.

Если в собственный четырехвалентный кремний (или германий) ввести атом пятивалентного элемента, например фосфора (Р), то че-тыре из пяти валентных электронов введенного атома примеси вступят в связь с че-тырьмя соседними атомами Si (или Ge) и образуют устойчивую оболочку из восьми электронов, а пятый электрон оказывается слабо связанным с ядром атома примеси. Этот «лишний» электрон движется по орбите значительно большего размера и легко (при небольшой затрате энергии) отрывается от примесно-го атома, т.е. становится свободным. При этом неподвижный атом превращается в положительный ион. Свободные электроны «примесного» происхождения добавля-ются к свободным электронам исходного собственного полупроводника, поэтому электрическая проводимость полупроводника при большой концентрации примеси становится преимущественно электронной. Такие примесные полупроводники назы-ваются электронными или п-типа (от слова negative - отрицательный). Примеси, обусловливающие электронную проводимость, называют донорными.

Если в собственный полупроводник, например кремний, ввести примесный атом трехвалентного элемента, например бора (В), галлия (Ga) или алюминия (Аl), то все валентные электроны атома примеси включатся в ковалентные связи с тремя из четырех соседних атомов собственного полупроводника. Для образования устойчивой восьмиэлектронной оболочки (четыре парные связи) примесному атому не хватает одного элек-трона. Им может оказаться один из валентных электронов, который переходит от ближайших атомов кремния. В результате у такого атома кремния появится «вакансия», т.е. дырка, а неподвижный атом примеси превратится в ион с единичным отрицательным зарядом. Примеси, обеспечивающие получение боль-шой концентрации дырок, называют акцепторными («захватывающие» электроны).

Отрыв электрона от донорного атома и валентного электрона от атомов исходно-го (собственного) полупроводника для «передачи» его акцепторному атому требует затраты некоторой энергии, называемой энергией ионизации или активизации при-меси. При температуре абсолютного нуля ионизации нет, но в рабочем диа-пазоне температуры, включающем комнатную температуру, примесные атомы прак-тически полностью ионизированы. Энергия ионизации доноров
и акцепторов
составляет несколько сотых долей электронвольта (эВ), что значительно меньше ши-рины запрещенной зоны . Энергетические уровни электронов донорных атомов («примесные уровни») располагаются в запрещенной зоне вблизи нижней границы («дна») зоны проводимости на расстоянии, равном энергии ионизации . Примесный уровень акцепторов находится в запрещенной зоне на не-большом расстоянии от верхней границы («потолка») валентной зоны.

В собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок одинаковы. В примесных полупроводниках они отличаются на много порядков. Носите-ли заряда с большей концентрацией называют основными, а с меньшей – неосновными. В полупроводнике n-типа основные носители – электроны, а в полу-проводнике p-типа – дырки.

Значения концентраций свободных электронов и дырок устанавливаются (состо-яние равновесия) в результате действия двух противоположных процессов: процесса генерации носителей (прямой процесс) и процесса рекомбинации электронов и ды-рок (обратный процесс).

Рекомбинация означает, что свободный электрон восстанавливает ковалентную связь (устраняет вакансию). В состоянии равновесия скорость генерации носителей заряда равна скорости рекомбинации.

^ 2.1.2. Метод расчета концентраций

Концентрация электронов n в зоне проводимости и концентра-ция дырок р в валентной зоне могут быть представлены следующи-ми общими выражениями:

; (2.1)

; (2.2)

В
еличины
и
– плотности квантовых состояний, Функция
в (2.1) есть вероятность того, что состояние с энергией занято электро-ном. Соответственно
означает вероятность отсутствия электрона на уровне в валентной зоне, т.е. вероятность существо-вания дырки.

При квантово-механическом рассмотрении установлено, что

Где h – постоянная Планка; и – эффективные массы электро-нов и дырок.

Вероятностная функция f ( ) в (2.1) и (2.2) определяется по формуле

(2.5)

Которая называется функцией распределения Ферми-Дирака. В этой функции k – постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура, а – энергия уровня Ферми. Очевидно, что при
. Поэ-тому формально уровнем Ферми является уровень, вероятность нахождения электрона на котором равна 0,5 (рис. 2.2). При Т > 0 К функция имеет плавный, но быстрый спад приблизительно в интер-вале значений энергии ±2 kT около уровня . При комнатной темпе-ратуре (T=300 К) kT = 0,026 эВ, т.е. ±2 kT = ±0,052 эВ, что значитель-но меньше , составляющего единицы электронвольта. Вероят-ность
при
, и
при
.

Функцию распределения необходимо «привязывать» к зон-ной диаграмме полупроводника. Как правило, для этого надо знать, где находится уровень Ферми. У обычно используемых полупровод-ников находится в запрещенной зоне: в n -полупроводнике – на «расстоянии»
>>2kT от дна зоны проводимости, а в р-полупроводнике – на расстоянии
>> 2kT от потолка валентной зо-ны и в формуле (2.5) можно пренебречь в знаменателе единицей, т.е. функция распределения Ферми-Дирака сводится приближенно к функции распределения Максвелла-Больцмана:

(2.6)

Полупроводники, для которых справедлива функция распределе-ния Максвелла- Больцмана, называют невырожденными. Для них характерно то, что число частиц значительно меньше числа разрешен-ных состояний. Если в полупроводнике уровень Ферми дока-зывается в интервале 2 kT вблизи границ зон или внутри этих зон, то следует пользоваться только функцией распределения Ферми-Дира-ка, а состояние полупроводника становится вырожденным.

Формулы (2.7) и (2.8) являются универсальными, так как приме-нимы для расчета концентраций в любых типах полупроводников: собственном (типа i ) и примесных (типов п и р ). Коэффициенты и следует трактовать как эффективное число состояний, располо-женных на границах зон (уровней и , которые только и входят в формулы). Значения и для кремния и германия составляют примерно 10 19 см -3 .

Формулы (2.7) и (2.8) следует также понимать как отражение взаи-мосвязи между концентрацией (числом носителей) и уровнем Ферми. Если известно значение , то можно вычислить концентрации п и р , соответствующие этому значению . Если же известна концентрация п (или р), то можно вычислить соответствующее ей значение . Фор-мула для в этом случае получается из (2.7) или (2.8), но значение в результате расчета, естественно, должно получиться одинаковым:

(2.9)

Одинаковый результат является следствием имеющейся связи между значениями концентраций п и р , т.е. связи между полным чис-лом носителей в зоне проводимости и валентной зоне. Рассмотрим эту связь.

Используя (2.7) и (2.8), найдем произведение концентраций:

Так как ширина запрещенной зоны

(2.10)

Применим (2.10) для собственного (чистого, беспримесного) по-лупроводника, в котором концентрация электронов и дырок одина-кова
. Получим формулу

(2.11)

Которую можно использовать для расчета концентраций носителей в собственном полупроводнике, не зная положения уровня Ферми:

(2.12)

Или преобразования формулы (2.10) до вида

(2.13)

Смысл этого соотношения состоит в том, что увеличение кон-центрации частиц с одним знаком заряда сопровождается уменьше-нием концентрации частиц с другим знаком. Такая зависимость объ-ясняется тем, что при увеличении, например, концентрации элект-ронов п обязательно пропорционально увеличится и вероятность рекомбинации носителей, в результате чего будет пропорциональ-но убывать концентрация дырок р .

Расчет по формуле (2.12) дает следующие значения : для Ge – 2,4 10 13 см -3 ; для Si – 1,45 10 10 см -3 ; для GaAs – 1,79 10 6 см -3 . Пре-вышение ширины запрещенной зоны кремния по сравнению с гер-манием всего в 1,12/0,66=1,7 раза привело к уменьшению концент-рации собственных носителей приблизительно в 10 3 раз.

^ 2.1.3. Условие электрической нейтральности

Это условие требует, чтобы суммарный заряд любого объема собственного и примесного полупроводников был равен нулю:

(2.14)

Для 1 см 3 собственного полупроводника с концентрациями элек-тронов и дырок

,

Где q – абсолютная величина заряда электрона. Это условие нейт-ральности можно переписать в виде

(2.15)

Это соотношение отражает процесс одновременного образова-ния пар электрон –дырка. Естественно, образование таких пар но-сителей с разными знаками зарядов не нарушает нейтральности.

Для объема 1 см 3 полупроводника n -типа

(2.16)

Где
– концентрация положительных донорных ионов (считаем, что все атомы доноров ионизированы, поэтому одновременно есть и концентрация вводимых нейтральных донорных атомов); ин-декс п

Аналогично для р -полупроводника условие (2.14)

(2.17)

Где
– концентрация отрицательных акцепторных ионов, а индекс р указывает на тип полупроводника.

^ 2.1.4. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках

Эти величины, как уже отмечалось, могут быть легко опреде-лены в результате совместного решения уравнений (2.13) и (2.16) или (2.17).

Для n -полупроводника, решив совместно уравнения (2.13) и (2.16), получим

(2.18)

В n -полупроводнике концентрация доноров на несколько поряд-ков больше (>>), поэтому вместо (2.18) можно записать

(2.19)

В n -полупроводнике электроны являются основными носителя-ми, а дырки неосновными, так как >>

Пример. Концентрация доноров в германии = 10 16 см -3 , = 2,4 10 13 см -3 . Концентрация электронов (основных носителей) по формуле (2.19) составит == 10 16 см -3 , концентрация дырок (неосновных носителей) = 5,76·10 26 /10 10 = 5,76·10 10 см -3 .

Аналогично для р -полупроводника из уравнений (2.13) и (2.17) получим

(2.20)

При выполнении условия >>

(2.21)

Где - концентрация основных носителей, a - неосновных носи-телей (>>).

Результаты (2.19) и (2.21) следовало ожидать, так как при ра-бочих температурах практически все примесные атомы ионизиро-ваны. Но тогда и концентрации неосновных носителей и мож-но найти из точных формул (2.18) и (2.20), подставив в них
и
, т.е.

(2.22)

На основании формул (2.22) можно сделать важный вывод, что концентрация неосновных носителей очень сильно зависит от ве-щества. Так как для Si = 1,45·10 10 см -3 , а для Ge = 2,4·10 13 см -3 , то концентрация неосновных носителей, пропорциональная , у Ge будет в (2,4·10 13 /1,45·10 10) 2 3·10 6 раз выше, чем у кремния. Это объясняется различием в ширине запрещенной зоны. Кроме того, концентрации неосновных носителей сильно зависят от температуры, так как от нее по формуле (2.12) экспоненциально зависит .

П
ри некоторой температуре концентрация , сравнивается с концентрацией доноров в n -полупроводнике. Назовем эту тем-пературу максимальной (T m ах ). При Т> T m ах >, т.е. концентра-ция электронов будет определять-ся не примесью, и поэтому теряет смысл термин «основные носители». В результате генерации пар носителей концентрации электро-нов и дырок оказываются одинако-выми, как в собственном полупро-воднике, и с ростом температуры увеличиваются по экспоненциальному закону. Аналогичный процесс происходит при росте темпера-туры в р -полупроводнике.

На рис. 2.3 показана температурная зависимость концентрации электронов в кремнии n -типа. Существует подъем кривой на началь-ном участке от T=0 К до некоторой температуры, при которой закон-чится ионизация доноров. Затем в довольно широком диапазоне температур (включающем комнатную) концентрация равна концент-рации примеси, т.е. электроны являются основными носителями. При высоких температурах (Т > T m ах ) концентрация определяется генерацией пар носителей, т.е. величиной , экспоненциально рас-тущей с повышением температуры.

^ 2.1.5. Положение уровня Ферми в полупроводниках

В собственном полупро-воднике n = р = , поэтому энергия уровня Ферми в нем из

(2.23)

Подставляя в (2.23) из (2.12) и учитывая, что

(2.24)

Таким образом, в собственном полупроводнике уровень Ферми практически на-ходится в середине запрещенной зоны.

Уровень Ферми в n-полупроводнике определяется при

(2.26)

Умножая числитель и знаменатель второго слагаемого на и используя форму-лу (2.23), получаем

(2.27)

Значения концентрации приме-си, при которой положение уровня совпадает с границей зон, называют критическим (
).

^ 2.1.6. Распределение носителей заряда по энергии

Перемножив значения и f ( ε ), получим распределение носителей по энергии в зоне про-водимости (рис. 2.5,в). Что каса-ется валентной зоны, то в соот-ветствии с выражением (2.2) надо умножать на . Все распределения имеют максимум, а затем быстро спадают.

Размер: px

Начинать показ со страницы:

Транскрипт

1 60 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том 73 УДК: МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ (Обзор) С. П. Кобелева 1 Статья поступила 26 июля 2006 г. Обсуждаются методы измерения удельного электрического сопротивления и времени жизни неравновесных носителей заряда в монокристаллическом кремнии с точки зрения выполнения требований стандартов ASTM, принятых за основу в SEMI. Рассмотрены работы, направленные на расширение области применения этих стандартов и на повышение точности используемых методик. Монокристаллический кремний является основным материалом микроэлектроники. Электрофизическими параметрами, контролируемыми при выращивании слитков и при изготовлении из них пластин для нужд микроэлектроники, являются удельное электрическое сопротивление (ρ) и время жизни неравновесных носителей заряда (τ). Оба параметра определяют марку материала. Измерение этих параметров является необходимым элементом технологического и выходного контроля качества пластин и слитков, входного контроля качества пластин при производстве полупроводниковых приборов и микросхем и частью технологического контроля при изготовлении эпитаксиальных и диффузионных слоев для производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Глобализация экономики привела к необходимости создания международной системы стандартов, регулирующих методы измерения. В полупроводниковой отрасли координацию деятельности по созданию такой системы проводит Международная организация производителей и потребителей полупроводниковой продукции SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International). В области стандартизации методик измерений этой организацией принята система стандартов США ASTM (American Society for Testing and Materials), как наиболее полная из государственных систем стандартов. Целью данной статьи является обзор методик измерения ρ и τ, включенных в систему стандартов ASTM, и работ, направленных на расширение области применения методик или повышение точности оценок параметров полупроводникового кремния. 1 Московский государственный институт стали и сплавов, Москва, Россия. Четырехзондовый метод измерения ρ с линейным расположением зондов Существует довольно много вариантов измерения ρ в полупроводниках . Их можно разделить на контактные и бесконтактные. К середине 90-х годов прошлого столетия выделились 4 метода, в основном используемые в производственных целях . Именно они включены в систему международных стандартов методов измерений. Это контактные методы двухзондовый метод измерения для контроля объемных материалов (используется на этапе контроля качества поликристаллического кремния), четырехзондовый метод (контроль качества объемных материалов, пластин и слоев с p/n-переходами), измерение сопротивления растекания (контроль распределения примеси в диффузионных и эпитаксиальных слоях) и бесконтактный метод вихревых токов. Четырехзондовый метод признан арбитражным. В данном методе для определения удельного электрического сопротивления используют четырехзондовое устройство с линейным расположением зондов. Постоянный ток пропускают через образец между внешними зондами и измеряют возникающую разность потенциалов между внутренними зондами. Удельное электрическое сопротивление вычисляется из измеренных значений разности потенциалов и тока с применением поправочных коэффициентов на геометрию образца. Теория метода хорошо разработана . В отечественном стандарте определены общие требования к установкам для измерения этим методом монокристаллических слитков германия и кремния, приведены температурные поправки, которые позволяют проводить измерения в центре слитков в интервале 23 ± 5 С, в стандарте требования для измерения монокристаллических слитков кремния при фикси-

2 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том рованной температуре 23 ± 2 С и рекомендации по определению разброса ρ по торцу слитка. В системе стандартов ASTM требования к оборудованию и методикам измерения и расчета ρ четырехзондовым методом изложены в 5 стандартах. В описаны общие требования к оборудованию для двух- и четырехзондовых методов измерения ρ германия и кремния, в изложены требования к оборудованию, подготовке образцов для измерения, методикам расчета ρ круглых кремниевых пластин толщиной до одного межзондового расстояния, т. е. примерно до полутора миллиметров. Диаметр пластин D должен более чем в десять раз превышать среднее межзондовое расстояние s, а разброс значений толщины 0,55 % от диаметра пластины. В изложены рекомендации по определению распределения ρ по диаметру пластин монокристаллического кремния, толщина которых меньше половины среднего межзондового расстояния, а диаметр D составляет не менее 15 мм (0,6 дюйма). В описаны методики калибровки и поверки измерительной аппаратуры с использованием стандартных образцов, в требования к аппаратуре и методики расчета поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузионных и ионно-имплантированных слоев. Наиболее общие требования к измерительной аппаратуре: затемнение, если не доказано, что освещение не влияет на результаты измерений; экранировка, если оборудование расположено вблизи высокочастотных генераторов; минимизация токов для исключения инжекции носителей через контакт и возникновения термоэдс; расчет ρ по среднему сопротивлению R при двух полярностях тока; обязательный учет поправок на температуру, если образец не термостабилизирован. Эти поправки справедливы, если температура образца во время измерений поддерживается постоянной в пределах С. Поскольку формулы расчета величины ρ зависят от размеров образца, в стандартах очень четко регламентированы различные поправки для точных расчетов. Расчет проводится, согласно рекомендациям , по обобщенной формуле ρ= F(D s) F(d s) F(t) R, (1) где F(D/s) поправочный коэффициент на диаметр образца; F(d/s) коэффициент, зависящий от толщины образца; F(t) поправочный коэффициент на температуру образца; d толщина пластины. В соответствии с рекомендациями для d/s > 2,5 F(D/S) = 1. В остальных случаях для центра образца () F D s = ln 2 + ln ln 2 (Ds) (Ds) F(d/s) зависит от толщины образца: ds< 0,1 Fds=πd ln 2, при () 2 2 ; при ds Fds () sf (ds) k1 (2) 0,1 < 4 = 2 π, (3) ds> 4 Fds= 2π s(формула стандартов ). при () Поправочный множитель F k1 (d/s) рассчитывается по формуле Fk1 (d s) = nd nd s s s 45 s 315 s + +, (4) 4 nd 64 nd 512 nd первое суммирование ведется по n от 1 до M, где М целая часть (2s/d) + 1, второе суммирование от М + 1 до N, где N наименьшее значение n, для которого второе слагаемое меньше Поправочный коэффициент на температуру образца () C (t) F t = 1 23, (5) где t температура образца в градусах по шкале Цельсия; C t температурный коэффициент, заданный в виде графика , в виде таблицы , рассчитывается по формуле . На рис. 1 приведены зависимости от ρ коэффициента C t стандартов ASTM и ГОСТ. Зависимости в ГОСТе грубо округлены. Различие величин, установленных в ГОСТ и ASTM, достигает 30 %. Однородное распределение ρ по пластине является важным параметром качества. Стандарты ASTM не регламентируют величину разброса, оставляя это на усмотрение поставщиков и потребителей. Достаточно сказать, что для современных субмикронных технологий требуются пластины большого диаметра (от 200 мм и выше) с разбросом ρ до 1 %. Это накладывает серьезные требования и к аппаратуре, и к методикам расчета ρ на различном расстоянии от центра пластин. Поэтому в стандарте для измерения распределения ρ по диаметру t

3 62 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том 73 С t, 1/ C 0,01 0,008 0,006 0,004 0,002 АSTM ASTM F-84 (n-тип) АSTM ASTM F-84 (p-тип) ГОСТ24392 (n-тип) ГОСТ (p-тип) 0,0001 0,001 0,01 0, ρ, Ом см Рис. 1. Зависимость температурного коэффициента С t от удельного электросопротивления ρ F (D /s) 1,1 1 0,9 0,8 0,7 0, r, мм Рис. 2. Поправка F(D/s) в зависимости от положения измерительной головки на пластине: 1 4 D = 40, 60, 100, 150 мм соответственно введена поправка F(D/s), зависящая и от расстояния точки измерения до центра пластины. Поправка задается таблично. На рис. 2 приведена поправка для пластин с d = 300 мкм, s = 1,3 мм диаметрами 40, 60, 100 и 150 мм. Толщина пластины не влияет на величину поправки (на рис. 2 для диаметра 40 мм приведены расчеты для d = 300 и 600 мкм). Видно, что на расстоянии 5 мм от края пластины систематическая погрешность расчета достигает 5 %, если поправку не учитывать. Четырехзондовый метод можно считать самым регламентированным и самым точным, поэтому только он рекомендован как арбитражный, а также для определения марки кремния при продаже материала. Проведенные межлабораторные сличения показали, что среднеквадратичное отклонение (СКО) измеренных величин ρ в доверительном интервале 0,95 % не превышает 1,7 %. Четырехзондовый метод можно использовать и для определения распределения ρ вдоль образующей слитков 3 4 монокристаллического кремния, при этом необходимо учитывать поправки на концах слитков . Метод считается неразрушающим, так как не требует специальной подготовки, кроме шлифовки и очистки поверхности от загрязнений, нарушенного слоя и поверхностного оксида, что можно считать рутинной производственной процедурой. Однако при измерении тонких слоев в местах прижимов зондов образуются локальные разрушения, препятствующие созданию приборов в этих областях. Поэтому неразрушающим метод можно считать только в случае оценки качества объемных материалов. При измерении удельного или поверхностного сопротивления пластин с p/n-переходами погрешность метода увеличивается. Так, величины СКО при межлабораторных сличениях достигают 30 % . Локальность метода определяется межзондовым расстоянием и составляет миллиметры по поверхности и по глубине, его можно использовать для измерения профиля распределения примеси в диффузионных и эпитаксиальных слоях, если применять послойное шлифование или измерения проводить на косом шлифе. Однако применять его целесообразно только для структур с глубокими p/n-переходами. Метод сопротивления растекания Переход на субмикронные и наноразмерные технологии вызвал необходимость применения локальных по глубине и поверхности пластин методов измерения ρ. Таким методом, в настоящее время динамично развивающимся, является метод измерения сопротивления растекания (СР). Он основан на измерении сопротивления структуры, состоящей из полупроводникового образца и металлического зонда, установленного на его плоской поверхности . Через измерительный зонд пропускается ток I и на нем же определяется потенциал U по отношению к удаленному контакту, сопротивлением которого пренебрегают. Расчеты показывают, что в идеальном случае в полубесконечном образце R = U/I = ρ/(4r 0), где r 0 радиус закругления точечного контакта. Область, в которой анализируется удельное сопротивление, имеет размеры порядка удвоенного радиуса контактной площадки зонда и может быть доведена до нанометровых размеров. Поэтому в настоящее время приставки СР устанавливаются в атомно-силовых и туннельных микроскопах. Однако в реальности величина удельного электрического сопротивления в этом методе рассчитывается с учетом поправочного коэффициента, который зависит от множества факторов. Имеется 3 стандарта ASTM, регламентирующие применение этого метода . В

4 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том приведены общие требования к измерительной аппаратуре для измерения объемных материалов, в требования к аппаратуре и процедуре измерения распределения СР по косому шлифу, в к подготовке косых шлифов для измерений СР. Величины поправок не обсуждаются, так как они зависят от размеров и качества контактной площадки зондов, силы прижима, скорости опускания зондов, типа электропроводности и величины измеряемого удельного сопротивления. Нет данных по межлабораторным сличениям. Приведенные в результаты измерения СР различными лабораториями (данные по расчетам ρ не приведены) имеют большой разброс (СКО до 30 %), что свидетельствует о необходимости совершенствования как аппаратурной части, так и методов калибровки и расчета ρ. В работе описаны результаты межлабораторных сличений измерений СР 22 ионно-имплантированных образцов, профили распределения которых контролировали методом вторично-ионной массспектрометрии. Измерения проводили в 21 лаборатории. Результаты этой работы показали необходимость развития в первую очередь прикладных программ расчетов профилей распределения ρ и на их основе определения концентрации мелких примесей N, поскольку в ряде случаев, особенно для субмикронных слоев, стандартные формулы перевода удельного сопротивления в концентрацию в этом методе неприменимы. В основе расчета распределения ρ по глубине неоднородного образца по результатам измерения СР лежит модель Шумана . Основные направления совершенствования модели расчетов связаны с учетом деформации кремния в области контакта , неидеальности точечного контакта , уменьшения подвижности свободных носителей заряда (µ) за счет деформации , а также с учетом поверхностных состояний на косом шлифе и на границах раздела структур . Необходимым элементом современных моделей является учет эффекта спиллинга изменения распределения концентрации свободных носителей за счет диффузии в области больших градиентов концентрации примеси . Этот эффект приводит к тому, что возникают локальные электрические поля, концентрации легирующей примеси и свободных носителей заряда не совпадают и нельзя пользоваться рекомендациями стандарта для пересчета ρ в N. Активно развивается нано-ср . В работе предложена аппаратура, которая позволяет измерять концентрации примесей в широком динамическом интервале см 3 с пространственным разрешением 10 нм и высокой чувствительностью. Обсуждается возможность субдесятинанометрового разрешения , построения двумерных профилей распределения примеси . C помощью низкотемпературных и высокотемпературных измерений СР предлагается оценивать глубину залегания примеси в запрещенной зоне полупроводника, т. е. заменить этими измерениями метод емкостной спектроскопии глубоких уровней. Метод вихревых токов Описанные выше методы обладают большим недостатком по существу, являются разрушающими, имеют недолгий срок работы зондов, они очень чувствительны к обработке поверхности перед измерениями, к материалу и геометрии зонда и силе прижима зонда к поверхности. Этих недостатков лишены высокочастотные бесконтактные методы измерения ρ. Стандартом рекомендован метод вихревых токов, основанный на индуктивной связи образца с измерителем. Диапазоны измеряемых значений ρ от 0,001 до 200 Ом см, толщины пластин от 0,1 до 1 мм. Эти диапазоны могут быть сужены, так как не при всех сочетания толщины и ρ можно проводить измерения. Частота генератора должна обеспечивать глубину проникновения ВЧ поля, по крайней мере, в 5 раз больше толщины образца. В этом методе образец определенной геометрической формы помещается между катушками индуктивности, при этом изменяется добротность ВЧ контура. Необходимо, чтобы выходной сигнал (в стандарте предполагается, что это ток ВЧ генератора, который поддерживает фиксированное значение выбранного контролируемого параметра) был пропорционален проводимости образца. Расчет ρ проводят по калибровочным кривым. В стандарте приведены результаты межлабораторных сличений. Величина СКО составила для интервала 0, Ом см ±9 %, 0, Ом см ±15 %, Ом см ±18 %. Как видно из результатов, точность метода значительно ниже, чем у четырехзондового, но он незаменим для использования в различного рода автоматических сортерах как пластин и эпитаксиальных слоев, так и структур типа кремний-на-изоляторе, для отбраковки скраба при производстве монокристаллического кремния и других подобных технических задач. Методы измерения времени жизни неосновных носителей заряда К настоящему времени разработано и исследовано значительное число методов измерения времени жизни неравновесных носителей заряда , что объясняется несколькими причинами. Влияние времени жизни на формирование параметров

5 64 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том 73 приборов весьма разнообразно, уменьшение его величины повышает быстродействие диодов, а для повышения эффективности работы фотоприемников и солнечных батарей требуются иногда предельно высокие значения τ. Освоение технологии какой-либо новой полупроводниковой структуры часто приводило к разработке специального для данной структуры метода оценки τ в исходном материале. Однако по мере совершенствования технологии производства приборного кремния, а также уменьшения числа типов структур резко сократилась разработка новых методов измерения τ. Все методы можно разделить на 3 основные группы: модуляции проводимости за счет подсветки (фотопроводимость) или инжекции носителей через контакт; измерения параметров приборных структур; использование других физических эффектов, параметры которых зависят от τ. При выборе метода измерения времени жизни немаловажным фактором является сравнительная сложность аппаратуры и ее стоимость. Для монокристаллического кремния в основном используются методы, относящиеся к первой группе. Она, в свою очередь, подразделяется на две стационарные и нестационарные методы. К стационарным относятся все методы измерения диффузионной длины L и несколько вариантов измерения стационарной фотопроводимости, в том числе спектральной зависимости фотопроводимости. Поскольку сигнал фотопроводимости слаб, используют методы модуляции проводимости с разной формой засвечивающих импульсов и различные формы детектирования переменных сигналов, что и порождает разнообразие конкретных аппаратурных исполнений метода. К нестационарным относят измерение спада фотопроводимости контактными и бесконтактным СВЧ методами; фазовый и частотный методы; измерение спада сигнала ИК-поглощения; метод модуляции проводимости в точечном контакте. В настоящее время промышленно изготавливается оборудование для использования в производственных целях на основе четырех основных методик : два метода позволяют измерять диффузионную длину методы поверхностной фотоэ.д.с. (ПФЭ) и обратного фототока (ОФТ), два метода основаны на измерении спада фотопроводимости контактный и бесконтактный (СВЧ). Эти методы, кроме ОФТ, включены в систему стандартов ASTM. Для монокристаллического кремния в диапазоне от 0,1 до 500 Ом см в соответствии с ГОСТ τ в слитках измеряют методом модуляции проводимости в точечном контакте (метод Шпицера) . На основе компьютерного моделирования основных методов измерения τ в приборных полупроводниковых структурах с р/n-переходом в работе было показано, что не существует экспериментального метода, позволяющего адекватно определить τ в приборных структурах. В аналогичном исследовании по моделированию метода Шпицера с использованием параметров измерительной аппаратуры, удовлетворяющих требованиям ГОСТа , было получено, что погрешность определения τ данным методом может превосходить 50 %. Был сделан вывод, что метод Шпицера можно оценить как чисто качественный, предназначенный для сравнения однотипных образцов. Для измерений τ методом затухания фотопроводимости рекомендуется использовать образцы в виде бруска стандартных размеров. На торцах бруска изготавливают омические контакты. Значение τ находится из анализа записи сигнала спада фотопроводимости U ф (t): U ф () t I I Iρ = = = σ σ + σ +σ σ () () () 0 t t 1 t 0 0, (6) где I интенсивность светового потока; σ(t) фотопроводимость образца; ρ 0 и σ 0 равновесные удельное сопротивление и электропроводность образца. Если σ(t)/σ 0 <<1, то () t (σ() t σ) 2 0 σ Uф () t I ρ σ0 2 (7) Стандарт ограничивает область применения данного метода только низкими уровнями инжекции (σ(t)/σ 0 < 0,1). В этом случае в (7) можно ограничиться первыми двумя членами и U ф () t () t σ t ~ ~exp. σ τ 0 (8) Для 0,1 < σ(t)/σ 0 < 1 в стандарте вводится поправка, рассчитанная на основе учета следующих членов разложения (7). Для всех методов измерения времени жизни наиболее существенной является задача оценки влияния поверхностной рекомбинации на результат измерений. Экспериментами установлено, что скорость рекомбинации на поверхности S зависит от ее физического состояния. Эффективное время жизни носителей заряда τ эф, которое и определяется экспериментально в нестационарных методах, можно оценить по формуле 1 1 τ эф = + τ τ п 1, (9)

6 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том где τ п время жизни вследствие рекомбинации на поверхности. Если исследуемый образец имеет конечные размеры и идет рекомбинация на поверхности, то спад фотопроводимости не может характеризоваться только одной постоянной времени экспоненциального затухания. На релаксационной кривой появляются короткоживущие составляющие. Их количество и вид определяются конкретными характеристиками исследуемого образца. В стандарте специально оговаривается, что поверхность образца должна быть шероховатая, т. е. иметь максимальную скорость рекомбинации. В случае бесконечной скорости поверхностной рекомбинации максимальная величина τ п известна и составляет d 2 /πd . На основании этого в стандарте рассчитаны поправки, которые позволяют определить объемное время жизни более точно. Ниже приведены рекомендованные размеры образцов прямоугольной формы для измерения τ по спаду фотопроводимости контактным методом и максимальные значения времени жизни, которые могут быть измерены на данных образцах: Длина, Ширина, Толщина, τ, мкс, τ, мкс, мм мм мм p-si n-si 15 2,5 2, В предусматривается засветка либо редкими мощными и короткими импульсами (метод А), либо периодически следующими более длительными импульсами (метод В). В первом случае объектами изучения являются образцы с большими значениями объемного времени жизни (>100 мкс), мощные короткие импульсы обеспечивают первоначальное распределение неравновесных носителей заряда без влияния поверхностной рекомбинации. Для варианта А приведена величина СКО ±135 %, полученная в результате межлабораторных сличений. Кремниевые пластины перед решающими операциями диффузии или ионной имплантации полируются и окисляются. Для измерения времени жизни на таких пластинах рекомендуется бесконтактный СВЧ метод . Он предусматривает генерацию избыточных носителей заряда световыми импульсами и наблюдение за процессом спада фотопроводимости по отражению от образца (пластины) электромагнитной волны в диапазоне СВЧ. В стандарте указывается, что метод применяется только для пластин с пассивированной поверхностью. Для засветки рекомендуется использовать мощные импульсные источники, в частности полупроводниковый лазер. Мощный короткий импульс, как и в предыдущем методе, необходим для создания наиболее однородного первоначального распределения неравновесных носителей заряда. Локализация засветки в пределах небольшой площадки (до 1 1 мм 2) позволяет получать пространственное распределение значений времени жизни в пластине, что невозможно в других методах. В стандарте в СВЧ приемо-передающей системе рекомендуется использовать рабочую частоту 10 ГГц (λ = 3 см). Предлагается использовать данный метод с существенными ограничениями, не являющимися неизбежными по существу дела, а лишь упрощающими интерпретацию результатов измерений: только для пластин (легко соблюдается условие однородной генерации по толщине); для большой области засветки, хотя это в явном виде и не указывается, чтобы на результаты не влияла боковая диффузия; только для пассивированных поверхностей (условие является, по существу, следствием первого, так как поверхностная рекомбинация при больших временах жизни делает невозможным измерение тонких пластин); использование импульсных источников (необходимо для уменьшения влияния поверхностной рекомбинации на результаты, что с учетом третьего ограничения представляется несущественным); обработке подлежит только вторая половина кривой спада фотопроводимости (уменьшается влияние высших гармоник, связанных с поверхностной рекомбинацией, и переходных процессов в СВЧ контуре, возникающих при выключении засветки). В отсутствие заметной поверхностной рекомбинации тангенс угла наклона логарифма сигнала спада во второй половине релаксационной кривой дает искомую величину объемного времени жизни. Можно отметить несколько неоспоримых преимуществ СВЧ метода. Это единственный метод полностью неразрушающего контроля образцов, которые могут направляться на дальнейшие технологические операции без сложной очистки. Четкая локализация поля СВЧ и засвечивающего импульса позволяет осуществить сканирование и получить пространственное распределение параметров рекомбинационных процессов в образце (пластине). Получение результатов измерений практически мгновенное. Возможно измерение образцов любой формы, в том числе и слитков. Влияние поверхностной рекомбинации на толстых образцах минимально, что облегчает интерпретацию результатов измерений.

7 66 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том 73 Основной недостаток метода необходимость пассивации поверхности образца для исключения заметного влияния рекомбинации на результат измерения, особенно для измерения пластин. Официально признается стандартом ASTM его применение только для полированных и пассивированных пластин кремния. Допускается использование метода для образцов иной формы, в том числе слитков, но процедуры измерений не регламентируются. Рекомендуется ориентироваться при этом на критерии воспроизводимости результатов измерений и их согласованность с интересами поставщика и покупателя материала. Разработке методик расчета объемного времени жизни и скорости поверхностной рекомбинации на непассивированных образцах посвящено в последние годы много работ, см., например, . Поверхностная рекомбинация формально не влияет на результаты измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда по значению стационарной поверхностной фотоэ.д.с. На освещенной поверхности полупроводника, толщина которого заметно больше L, избыточная концентрация неравновесных носителей заряда n(0) определяется выражением (0) Iαλτ () L (L+ Sτ) (α(λ) L+ 1) n = = = Iτ L (L+ Sτ)(L+ 1 α(λ)), (10) где α(λ) коэффициент поглощения на длине волны λ. Если в приповерхностной области имеется встроенное электрическое поле, избыточные носители заряда этим полем разделяются, и возникает поверхностная э.д.с. Разность потенциалов объема и поверхности будет максимальна, если за счет встроенного поля возникает обедненная область или инверсный слой. При низком уровне инжекции n(0) связана с поверхностным потенциалом U(0) выражением eδu eδu n(0) ~ exp ~, kt kt (11) где δu потенциал поверхности по отношению к объему, появившийся за счет освещения; е заряд электрона; k константа Больцмана; T температура образца. Согласно (10, 11), 1/δU = 0, если 1/α = L, поэтому в первом варианте измерений экстраполяция зависимости 1/δU от 1/α к нулю позволяет определить L. Принципиальным условием в этом случае является поддержание постоянной интенсивности засветки (I = const). Зная коэффициент диффузии D, можно рассчитать τ (L = Dτ). Поверхностная рекомбинации формально не влияет на результаты измерений, если S не меняется в процессе измерения. Это гарантированно реализуется при постоянной величине n(0). В погрешность измерения δu может вносить вклад э.д.с. Дембера (возникновение положительного заряда на поверхности за счет большей подвижности у избыточных электронов). Эффект Дембера пропорционален избыточной концентрации, и его влияние можно также снизить, проводя измерения при постоянной n(0) на поверхности. Для этого реализуется второй вариант измерений величина δu поддерживается постоянной при различных коэффициентах поглощения и строится зависимость интенсивности засветки от обратного коэффициента поглощения. Экстраполяция к нулю зависимости I(1/α) и в этом случае дает величину L. Существенным ограничением метода поверхностной фотоэ.д.с. является достаточно узкий интервал удельного сопротивления материала (0,1 < ρ < 50 Ом см), его практическая реализация требует решения ряда технических задач: 1. Требуется источник света с монохроматическим излучением и возможностью перестройки длины волны. Степень монохроматичности должна быть достаточно высокая, так как коэффициент поглощения излучения очень сильно зависит от длины волны. 2. Вся поверхность образца должна засвечиваться однородно во избежание влияния боковой диффузии на результаты измерения. 3. Необходимо поддержание неизменной интенсивности засветки при смене длины волны источника. 4. Поскольку источников погрешностей в методе достаточно много и большинство из них влияет на линейность анализируемой зависимости, стандарт требует измерения для 4 6 значений α, что существенно усложняет аппаратуру и сам процесс измерения. Данный метод измерения диффузионной длины считается неразрушающим. Однако в ряде случаев сигнал столь слаб, что приходится подвергать исследуемый образец специальной обработке для повышения достоверности измерений. Кроме того, метод дает правдоподобные результаты лишь в том случае, когда приповерхностный (освещаемый) слой кремния свободен от механических повреждений. Поэтому рекомендуется исследуемый образец подвергать химической полировке.

8 «Заводская лаборатория. Диагностика материалов» Том В системе отечественных технических регламентов (ГОСТ, ОСТ, ТУ) методики измерения изложены в приложениях к техническим условиям на полупроводниковую продукцию (исключение составляет ГОСТ ), что резко отличает ее от международной. В е годы в СССР на монокристаллический кремний были разработаны 2 ГОСТа, 1 ОСТ и 14 ТУ, и только 4 из последних продлены в настоящее время. Действие этих методик ограничено не только уровнем отраслевых документов, но и тем, что в них часто указан конкретный прибор и инструкция по его эксплуатации. Выполнение закона РФ О единстве средств измерений требует создания современной метрологической документации для полупроводниковой отрасли, в основу которой могут быть положены стандарты SEMI, тем более что интеграция России в мировую систему производства и потребления полупроводниковой продукции требует обязательной гармонизации отечественных и международных стандартов. ЛИТЕРАТУРА 1. Runyanan W.R., Shaffner T.J. Semiconductor measurements & instrumentation. N.Y.: McGraw-Hill, p. 2. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, с. 3. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Исследование параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, с. 4. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, с. 5. ГОСТ Кремний и германий монокристаллические. Измерение удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. М.: Изд-во стандартов, с. 6. ГОСТ Кремний монокристаллический в слитках. М.: Изд-во стандартов, с. 7. ASTM F-43. Test Methods for Resistivity of Semiconductor Materials. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F. Test Methods for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F-81. Method for Measuring Radial Resistivity Variation on Silicon Slices. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F Guide for Application of Silicon Standard Reference Materials and Reference Wafers for Calibration and Control of Instruments for Measuring Resistivity of Silicon. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F-374. Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial, Diffused, Polysilicon, and Ion- Implanted Layers Using an In-Line Four-Point Probe. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F-525. Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers Using a Spreading Resistance Probe. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F-672. Test Method for Measuring Resistivity Profiles Perpendicular to the Surface of a Silicon Wafer Using a Spreading Resistance Probe. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F-674. Practice for Preparing Silicon for Spreading Resistance Measurements. Annual Book of ASTM Standard. V Clarysse T., Vandervorst W. / J. Vac. Sci. Technol V. 16(1). Р ASTM F-723. Practice for Conversion Between Resistivity and Dopant Density for Boron-Doped and Phosphorus- Doped Silicon. Annual Book of ASTM Standard. V Schumann P.A., Gardner E.E. / J. Electrochem. Soc.: Solid State Science V Р Clarysse T., Vandervorst W., Pawlik M. / J. Vac. Sci. Technol V. 14(1). P Clarysse T., Vandervost W. / J. Vac. Sci. Technol V. 18(1). P Hartford E.J., Ramey S.M., Ye C.W. et al. / J. Vac. Sci. Technol V. 18(1). P Clarysse T., Eyben P., Hantschel T., Vandervorst W. / Materials Science in Semiconductor Processing V. 4. P Masaya Ichimira, Shinya Ito, Eisuke Arai / Solid-State Electronics V. 46. P De Wolf P., Clarysse T., Vandervost W. et al. / J. Vac. Sci. Technol V. 14(1). P Privitera V., Saggio M.G. / J. Vac. Sci. Technol V. 14(1). P Voss S., Bracht H., Stolwijk N.A. / Phisika V P Voss S., Bracht H., Stolwijk N.A. / Materials Science in Semiconductor Processing V. 4. P ASTM F-673. Test Method for Measuring Resistivity of Semiconductor Slices or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Noncontact Eddy-Current Gage. Annual Book of ASTM Standard. V Мнацаканов Т.Т., Ростовцев И.Л., Филатов И.Н. Новые силовые полупроводниковые приборы и технология их изготовления / Под ред. А. Н. Думаневича. М.: ВЭИ, С Горюнов Н.Н., Клебанов М.П., Кобелева С.П. и др. / Тезисы Второй Российской школы ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния. М.: МИСиС, С ASTM F-28. Test Methods for the Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay. Annual Book of ASTM Standard. V ASTM F Test Method for Carrier Recombination Lifetime in Silicon Wafers by Noncontact Measurement of Photoconductivity Decay by Microwave Reflectance. Annual Book of ASTM Standard. V Горюнов Н.Н., Калинин В.В., Слесарев В.Н. и др. / Заводская лаборатория. Диагностика материалов Т С Brody J., Rohatgi A., Ristow A. / Solar Energy Materials & Solar cells V. 77. P Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Токарев А.С. / Физика и техника полупроводников Т. 38. Вып. 9. С Кобелева С.П., Юрчук С.Ю., Ярынчак М.В. и др. / Известия вузов. Материалы электронной техники С.17 20/ 36. ASTM F-391. Test Methods for Minority-Carrier Diffusion Length in Extrinsic Semiconductors by Measurement of Steady-State Surface Photovoltage. Annual Book of ASTM Standard. V

Методы измерения удельного сопротивления полупроводников Содержание 1. Полупроводники 2. Методы измерения удельного сопротивления полупроводников 3. Четырехзондовый метод измерения 4. Погрешности четырехзондового

Чины и оценку его отклонения от истинного значения, т. е. погрешность измерения. Принцип измерения совокупность физических явлений, на которых основано данное измерение. Средство измерения техническое

Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

ЗИНКИН С.Д. РЕАЛИЗАЦИЯ МЕТОДА НЕСТАЦИОНАРНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ НА УСТАНОВКЕ DLS-83D Аннотация. В статье описывается метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Представлены

Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

В. В. Груздов Ю.В. Колковский Ю.А. Концевой КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ -1000 О 1000 2000 3000 Омега-2тета (угл. сек.) ТЕХНОСФЕРА СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...10 ГЛАВА 1 ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Лабораторная работа 3 Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках Основные понятия Если в полупроводник каким-либо способом (облучение, инжекция) ввести

УДК 6.3.49.77.7.7 ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМАЯ МОДЕЛЬ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ РЕЗИСТОРОВ СУБМИКРОННЫХ БИПОЛЯРНЫХ БИС Докт. техн. наук проф. БЕЛОУС А. И.) докт. физ.-мат. наук проф. ЗУЙКОВ И. Е.) СЯКЕРСКИЙ В. С.

Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

26 июня 06.2;12 Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия М.А. Родионов, В.А. Рожков, А.В. Пашин Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.8. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК Введение Явление фотопроводимости заключается в возрастании электропроводности полупроводника под действием света. Это явление используется

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

1. ВВЕДЕНИЕ Диод Шоттки это полупроводниковый прибор, свойства которого обусловлены выпрямляющим электрический ток переходом (контактом) металл/полупроводник. По сравнению с pn-переходом, сформированном

НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС» На правах рукописи Щемеров Иван Васильевич Разработка и создание аппаратуры для бесконтактного измерения электрофизических параметров

АГ Быков ДВ Лосев ДС Бардашов Национальный исследовательский Томский государственный университет Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме Рассмотрена задача определения временной

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

ЧЕТЫРЕХЗОНДОВЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Описание лабораторной работы. Составители: канд. физ.-мат.наук., доц. Агарев В.Н. (физический факультет ННГУ), доктор физ.-мат.наук.,

12 февраля 06.2;12 Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия М.А. Родионов, В.А. Рожков Самарский государственный университет E-mail: [email protected] Поcтупило в Редакцию

5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

«Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Цель работы: ознакомление с явлением фотопроводимости полупроводников, освоение экспериментального метода

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Лабораторная работа 10 Определение материальных потерь в пленочных световодах Цель работы расчет коэффициента экстинкции для пленочного световода с использованием значений его оптических постоянных, измеренных

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

УДК 681.3.01: 621.383 ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС МОДЕЛИРОВАНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Балабаев С.И., Домрачев П.Г. Научный руководитель профессор Богатов Н.М. Кубанский государственный университет

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

1808 Связь структурных параметров с процентом выхода и качеством многомезовых кремниевых лавинопролетных диодов миллиметрового диапазона Ташилов А.С. ([email protected]), Барашев М.Н., Хапачев Ю.П. Кабардино-Балкарский

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Выбор конструктивнотехнологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе карбида кремния М.Черных Уникальные свойства карбида кремния (SiC) обеспечивают характеристики, недостижимые для кремниевых

Цель работы. Исследовать проводимости полупроводников с собственной и примесной проводимостью. Задача. 1. Определить вольт-амперную характеристику полупроводника и зависимость тока через полупроводник

Полупроводниковые диоды - технологии изготовления 1. исторически первые полупроводниковые диоды - т.н. кристаллический детектор - поликристалл PbS (природный минерал галенит, далее такие образцы PbS научились

Федеральное агентство по образованию Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра физики Физика ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ

21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

040002. Исследование электропроводности полупроводников. Цель работы: Определить сопротивление и его зависимость от температуры для полупроводникового материала. Установить тип материала и уровень его

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

УДК 60.0 ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ С ПОВЕРХНОСТЯМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ Инженеры ПАВЛЮЧЕНКО В. В., ДОРОШЕВИЧ Е. С. Белорусский национальный технический университет Электромагнитная

ГОСТ 1 8 9 8 6.7-7 3 М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МЕТОДЫ ИЗМ ЕРЕН ИЯ ЭФФЕКТИВНОГО ВРЕМ ЕНИ Ж И ЗН И НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА Издание официальное БЗ

Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

SWorld 218-27 December 2012 http://www.sworld.com.ua/index.php/ru/conference/the-content-of-conferences/archives-of-individual-conferences/december-2012 MODERN PROBLEMS AND WAYS OF THEIR SOLUTION IN SCIENCE,

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Свободные носители заряда в металлах и полупроводниках. Проводящие свойства металлов, полупроводников и диэлектриков. Свободные носители

Лекция 6 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) 1) Многоэмиттерные и-р-и-транзисторы. 2) Многоколлекторные транзисторы. 3) Транзисторы с барьером шотки.

Приборы для измерения потерь. Все приборы для измерения потерь в волокне делятся на несколько видов:! оптические тестеры;! оптические рефлектометры;! оптические измерительные ослабители лазерного излучения

48 МЕТРОЛОГИЯ Êîìïåòåíòíîñòü 3/94/202 Методика анализа погрешностей алгоритмов вычислений электрических величин в ЦИП Àâòîð ñ èòàåò, òî ïðè îïðåäåëåíèè/îöåíèâàíèè ìåòðîëîãè åñêèõ õàðàêòåðèñòèê àëãîðèòìîâ

12 апреля 06.1;06.2 Обратный ток в полупроводниковых диодах с неоднородной базовой областью Б.С. Соколовский Львовский государственный университет им. Ив. Франко Поступило в Редакцию 13 апреля 1999 г.

Материалы Международной научно-технической конференции, 21 25 ноября 2016 г. МОСКВА INTERMATIC 2 0 1 6, часть 4 МИРЭА МЕТОДИКА ОЦЕНКИ НЕЛИНЕЙНОСТИ РАЗВЕРТКИ РАСТРОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МИКРОСКОПОВ 2016 г. С.С.

Козлов В.В. Студент НИУ МИЭТ, г. Москва ОСОБЕННОСТИ АДАПТАЦИИ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ QUADPRO ПОД НУЖДЫ ПРОИЗВОДСТВА Аннотация В статье рассматриваются особенности адаптации новой измерительной системы под

11 ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ Неметаллы отличаются от проводников наличием зоны запрещенных энергий g для электронов Структуры энергетических зон собственного полупроводника приведены на рис14 Состояния,

29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Шефер Дмитрий Андреевич «Исследование процессов рекомбинации неосновных носителей заряда в легированных In и As гетероэпитаксиальных структурах

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР ИНДИКАТОРЫ ЗНАКОСИНТЕЗИРУЮЩИЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ ГОСТ 25024.3-83 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Фотодиод Материал из Википедии свободной энциклопедии Фотодиод ФД-10-100 активная площадь-10х10 мм² ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодио д приёмник оптического излучения

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучение основных физических закономерностей, определяющих свойства и параметры фотодиодов, исследование вольтамперных

2. Вычисление температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников

Для того, чтобы произвести расчёт нужных параметров, я ввёл необходимые величины, такие как:

Заряд электрона

Масса покоя атома

Энергия ионизации донорного уровня

Массы электронов по главным осям элипсоидов

Массы дырок по главным осям элипсоидов

Число долин в зоне проводимости

Число долин в валентной зоне

Концентрация донорных атомов

Постоянная Больцмана

Ширина запрещённой зоны

Температура

Постоянная Планка

После чего последовала необходимость перевести их в систему СИ. Теперь, когда все данные перед нами, можно начинать с приближённого расчёта зависимости концентрации электронов от температуры.

2.1 Приближённый расчёт зависимости концентрации электронов от температуры

Для начала я нашла среднюю температуру и эффективную массу электронов и дырок и, которые далее необходимы для вычисления эффективной плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости и

3) вычисление теплоемкости cn и количества теплоты процесса q; 4) вычисление работы изменения объема l и внешней работы процесса l`. 5) вычисление изменения термодинамических функций: a) внутренней энергии, b) энтальпии, c) энтропии...

Анализ политропного процесса смеси идеальных газов

Соотношение для давлений и объемов в начальном и конечном состояниях следует из (10); соотношения для температур и давлений или температур и объемов можно получить...

Анализ режимов и выбор основных параметров системы электропередачи

Для каждого стандартного сечения линии данного типа и напряжения построим зависимости приведенных затрат от мощности З=f(Р). Это выражение представляет собой согласно параболу вида З=А+ВI2нб, где Iнб=. По }